1.1.1. A projekt összefoglalójának rövid leírásaA nanokondenzátorok (NC-k) széles körben használatosak a mikro- és nanoeszközökben. Az NC-termelési piac gyorsan fejlődik, és növekedési ütemét legalább 10 évig fenn fogja tartani. A lett termelőknek lehetőségük van NC termelésére, de ez még nem történt meg. A projekt célja: Olyan innovatív NC dielektromos réteggyártási technológia kifejlesztése, amely csökkenti az NC termelési költségeit a lett gazdaság tudásintenzívségének, versenyképességének és fenntartható fejlődésének fokozása érdekében. A projekt pályázója a Rigai Műszaki Egyetem, együttműködő partnerek a Lett Egyetem és az AS „ALFA PRAR” félvezető eszközök gyára. Ipari tanulmány készül az alábbiakról: 1. NC és ON...NO minták gyártása ugyanabban az N...N reaktorban szintetizált rétegekkel; 2. N...N, ON...NO és NC tulajdonságok jellemzése, beleértve az expozíciót és a melegítést is; 3) NC N...N gyártási technológiai prototípusok laboratóriumi környezetben. A projekt összhangban van a fizikai tudományok (1.3), az anyagtudományok (2.5) és a nanotechnológia (10.2.) területével. Eredmények: 1) eredmények terjesztése tudományos publikációk, konferenciák, szemináriumok formájában; 2) Prototyping NC gyártási technológia kifejlesztett laboratóriumi környezetben; 3) szabadalmi bejelentés az N...N réteg megszerzésének módszerére. Célcsoportok: Tudományos intézmények, tudósok, doktoranduszok, kereskedők. A projekt időtartama 2017.01.02-tól 2019.12.30-ig terjed. A projekt teljes elszámolható költsége 648 605,05 EUR, ebből 551 314,29 EUR ERFA-finanszírozás és 48 645,38 EUR állami költségvetési finanszírozás. Kulcsszavak: Nanokondenzátor, szilícium, szilícium-nitrid nanoréteg, sugárzási hibák.1.1.2. A projekt teljes leírása ANC termelési piaca gyorsan fejlődik, és legalább 10 évig fenntartja fejlődési ütemét [1]. Egyre nagyobb a kereslet a termikusan stabil [1] és a sugárzásálló NC iránt. A szilíciumalapú technológiákat széles körben alkalmazzák az NC előállításához. A lett termelők NC termelési piacára való belépése 3–4 hetente legalább 0,23–10 millió EUR-val növelheti a lett gazdaság forgalmát. Az NC dielektromos rétegét leggyakrabban több Si3N4 (N) nanoréteg összeszerelésével nyerik, és mindkét oldalon SiO2 (O)-val körülveszik őket, ami az ON...NO struktúrát eredményezi. N...N rétegeket több technológiai reaktorból nyernek. Az NC előállítási költsége csökkenthető, ha egy reaktorban N...N rétegeket vásárolnak. A projekt célja: Olyan innovatív NC dielektromos réteggyártási technológia kifejlesztése, amely csökkenti az NC termelési költségeit a lett gazdaság tudásintenzívségének, versenyképességének és fenntartható fejlődésének fokozása érdekében. Gazdaságtalan együttműködési projekt végrehajtására kerül sor: A projekt bejelentője a RTU, az együttműködési partnerek LU és AS „ALFA PRAR”. Ipari tanulmány készül az alábbiakról: 1. NC és ON...NO minták gyártása ugyanabban az N...N reaktorban szintetizált rétegekkel; 2. N...N, ON...NO és NC tulajdonságok jellemzése, beleértve az expozíciót és a melegítést is; 3) NC N...N gyártási technológiai prototípusok laboratóriumi környezetben. A projekt összhangban van a fizikai tudományok (1.3), az anyagtudományok (2.5) és a nanotechnológia (10.2.) területével. Eredmények: 1) eredmények terjesztése tudományos publikációk, konferenciák, szemináriumok formájában; 2) Prototyping NC gyártási technológia kifejlesztett laboratóriumi környezetben; 3) szabadalmi bejelentés az N...N réteg megszerzésének módszerére. A projekt összhangban van a fizikai tudományok (1.3), az anyagtudományok (2.5) és a nanotechnológia (10.2.) területével. A projekt célcsoportja a tudományos intézmények, tudósok, doktoranduszok, kereskedők. A projekt elősegíti a tudományos intézmények, alkalmazottaik és kereskedők nemzetközi versenyképességét, a diákok vonzása elősegíti a tudományos személyzet megújítását és utódlását Lettországban. A projekt teljes elszámolható költsége 648 605,05 EUR, ebből 551 314,29 EUR ERFA-finanszírozás és 48 645,38 EUR állami költségvetési finanszírozás. A projekt időtartama: 2017. március 1-jétől 2020.02.29-ig
