Η πράξη αποτελεί μέρος του έργου IPCEI (σημαντικό έργο κοινού ευρωπαϊκού ενδιαφέροντος) Nano2022 που έφερε στο γαλλικό επίπεδο η ST MICROELECTRONICS. Αφορά το WP1 του εν λόγω έργου, το οποίο αποσκοπεί στην ανάπτυξη τεχνολογιών GaN/Si σε πλακίδια 200 mm. Ειδικότερα, η λειτουργία αφορά την ανάπτυξη διαδικασιών χάραξης ατομικών στρωμάτων GaN και AIGaN για το σχεδιασμό διόδων HEMT και τρανζίστορ. Το έργο αποτελεί μέρος της δραστηριότητας «Χάχαρα πλάσματος» του εργαστηρίου GREMI εντός του άξονα «λειτουργικά μέταλλα από πλάσματα και λέιζερ».