Operācija ir daļa no projekta IPCEI (Svarīgs projekts visas Eiropas interesēs) Nano2022, ko Francijas līmenī iesniedza ST MICROELECTRONICS. Tas attiecas uz šā projekta WP1, kura mērķis ir izstrādāt GaN/Si tehnoloģijas uz 200 mm vafelēm. Konkrētāk, darbība attiecas uz GaN un AIGaN atomu slāņa gravēšanas procesu izstrādi HEMT diožu un tranzistoru projektēšanai. Projekts ir daļa no GREMI laboratorijas “Plasma gravure” aktivitātes ass “Plastmasas un lāzeru funkcionālie metāli”.