A operação faz parte do projeto PIIEC (Projeto Importante de Interesse Europeu Comum) Nano2022 levado ao nível francês pela ST MICROELECTRONICS. Diz respeito ao WP1 deste projeto, que visa desenvolver tecnologias GaN/Si em bolachas de 200 mm. Mais especificamente, a operação diz respeito ao desenvolvimento de processos de gravação em camada atómica de GaN e AIGaN para a conceção de díodos e transístores HEMT. O projeto faz parte da atividade de «gravura de plasma» do laboratório GREMI no âmbito do eixo «metais funcionais por plasmas e lasers».