L'operazione fa parte del progetto IPCEI (Important Project of Common European Interest) Nano2022 portato a livello francese da ST MICROELECTRONICS. Si tratta del WP1 di questo progetto, che mira a sviluppare tecnologie GaN/Si su wafer da 200 mm. In particolare, l'operazione riguarda lo sviluppo di processi di incisione di strati atomici di GaN e AIGaN per la progettazione di diodi e transistor HEMT. Il progetto rientra nell'attività "Plasma engravure" del laboratorio GREMI nell'ambito dell'asse "metalli funzionali di Plasma e Laser".