L’opération s’intègre dans le projet IPCEI (Important Project of Common European Interest) Nano2022 porté au niveau français par ST MICROELECTRONICS. Elle concerne le WP1 de ce projet qui vise au développement de technologies GaN/Si sur plaquettes 200 mm. Plus spécifiquement, l’opération porte sur le développement de procédés de gravure de couches atomiques du GaN et AIGaN pour la conception de diodes et de transistors HEMT. Le projet s inscrit dans l activité́ "gravure plasma" du laboratoire GREMI au sein de l axe « Matériaux Fonctionnels par Plasmas et Lasers ».