1.1.1. Projekti kokkuvõtte lühikirjeldus Nano kondensaatoreid kasutatakse laialdaselt mikro- ja nanoseadmetes. NC tootmisturg areneb kiiresti ja säilitab kasvumäära vähemalt 10 aastat. Läti tootjatel on võimalus toota lämmastikku, kuid seda ei ole veel tehtud. Projekti eesmärk on: Töötada välja uuenduslik NC dielektriliste kihtide tootmise tehnoloogia, mis vähendab NC tootmiskulusid, et suurendada Läti majanduse teadmusintensiivsust, konkurentsivõimet ja säästvat arengut. Projekti taotleja on Riia Tehnikaülikool, koostööpartnerid Läti Ülikool ja pooljuhtseadmete tehas AS „ALFA PRAR“. Viiakse läbi tööstusuuring, mis hõlmab järgmisi meetmeid: 1. NC ja ON...NO proovide tootmine, mille kihid on sünteesitud samas reaktoris N...N; 2. N...N, ON...NO ja NC omaduste kirjeldus, sealhulgas pärast kokkupuudet ja kuumutamist; 3) NC N...N kihid tootmistehnoloogia prototüüpimine laborikeskkonnas. Projekt on kooskõlas füüsikateaduste (1.3), materjaliteaduste (2.5) ja nanotehnoloogia (10.2) valdkondadega. Tulemused: 1) tulemuste levitamine teaduspublikatsioonide, konverentside, seminaride kujul; 2) laborikeskkonnas välja töötatud NC tootmistehnoloogia prototüüpimine; 3) patenditaotlus N...N kihi saamise meetodi kohta. Sihtrühmad: Teadusasutused, teadlased, doktorandid, kaupmehed. Projekti kestus 02.01.2017–30.12.2019 Projekti rahastamiskõlblikud kogukulud on 648605,05 eurot, sealhulgas 551314,29 eurot Euroopa Regionaalarengu Fondist ja 48645,38 eurot riigieelarvest. Märksõnad: Nanokondensaator, räni, räninitriidi nanokiht, kiirgusdefektid.1.1.2. Projekti täielik kirjeldus Kongressi tootmisturg areneb kiiresti ja säilitab oma arengutempo vähemalt 10 aastat [1]. Kasvab nõudlus termiliselt stabiilse [1] ja kiirguskindla NC järele. Ränipõhiseid tehnoloogiaid kasutatakse laialdaselt NC tootmiseks. Läti tootjate sisenemine NC tootmisturule võib suurendada Läti majanduse käivet vähemalt 0,23–10 miljoni euro võrra iga 3–4 nädala järel. NC dielektriline kiht saadakse kõige sagedamini mitme Si3N4 (N) nanokihi ühendamisel ja ümbritseb neid mõlemalt poolt SiO2 (O), mille tulemuseks on ON...NO struktuur. N...N kihid saadakse mitmest tehnoloogilisest reaktorist. NC tootmiskulusid saab vähendada N...N kihtide omandamisega ühes reaktoris. Projekti eesmärk on: Töötada välja uuenduslik NC dielektriliste kihtide tootmise tehnoloogia, mis vähendab NC tootmiskulusid, et suurendada Läti majanduse teadmusintensiivsust, konkurentsivõimet ja säästvat arengut. Rakendatakse ebamajandusliku koostöö projekti: Projekti esitaja on RTU, koostööpartnerid LU ja AS „ALFA PRAR“. Viiakse läbi tööstusuuring, mis hõlmab järgmisi meetmeid: 1. NC ja ON...NO proovide tootmine, mille kihid on sünteesitud samas reaktoris N...N; 2. N...N, ON...NO ja NC omaduste kirjeldus, sealhulgas pärast kokkupuudet ja kuumutamist; 3) NC N...N kihid tootmistehnoloogia prototüüpimine laborikeskkonnas. Projekt on kooskõlas füüsikateaduste (1.3), materjaliteaduste (2.5) ja nanotehnoloogia (10.2) valdkondadega. Tulemused: 1) tulemuste levitamine teaduspublikatsioonide, konverentside, seminaride kujul; 2) laborikeskkonnas välja töötatud NC tootmistehnoloogia prototüüpimine; 3) patenditaotlus N...N kihi saamise meetodi kohta. Projekt on kooskõlas füüsikateaduste (1.3), materjaliteaduste (2.5) ja nanotehnoloogia (10.2) valdkondadega. Projekti sihtrühmaks on teadusasutused, teadlased, doktorandid, kaupmehed. Projektiga edendatakse teadusasutuste, nende töötajate ja kaupmeeste rahvusvahelist konkurentsivõimet, üliõpilaste ligimeelitamine soodustab Läti teadustöötajate uuendamist ja järjestamist. Projekti abikõlblikud kogukulud on 648605,05 eurot, sealhulgas 551314,29 eurot Euroopa Regionaalarengu Fondist ja 48645,38 eurot riigieelarvest. Projekti kestus: Alates 1. märtsist 2017 kuni 29. veebruarini 2020
