La operación forma parte del proyecto IPCEI (Proyecto Importante de Interés Común Europeo) Nano2022 llevado al nivel francés por ST MICROELECTRONICS. Se trata del WP1 de este proyecto, cuyo objetivo es desarrollar tecnologías GaN/Si en obleas de 200 mm. Más concretamente, la operación se refiere al desarrollo de procesos de grabado de capas atómicas de GaN y AIGaN para el diseño de diodos y transistores HEMT. El proyecto forma parte de la actividad «Plasma engrabado» del laboratorio GREMI dentro del eje «Metales funcionales por Plasmas y Láseres».