Die Operation ist Teil des Projekts IPCEI (Important Project of Common European Interest) Nano2022, das von ST MICROELECTRONICS auf französischer Ebene durchgeführt wurde. Sie betrifft das WP1 dieses Projekts, das auf die Entwicklung von 200 mm GaN/Si-Technologien abzielt. Im Einzelnen geht es um die Entwicklung von Prozessen zum Ätzen von Atomschichten von GaN und AIGaN für die Konstruktion von HEMT-Dioden und Transistoren. Das Projekt ist Teil der Tätigkeit „Plasmagravur“ des GREMI-Labors innerhalb der Achse „Plasma- und Plasma-Laserfunktionale Geräte“.