Die Entstehung von Galliumnitrid (GaN) großen Gap-Komponenten aus der Leistungskomponentenfamilie (Silicium, SiC) lässt bisher unerreichbare Anwendungsperspektiven erkennen. Die Einführung solcher Komponenten in Umwandlungssysteme erfordert jedoch einen neuen Ansatz bei der Systemgestaltung, um das Potenzial dieser Komponenten voll auszuschöpfen. Der Ansatz des TOPGAN-Projekts beruht auf einem anwendungsorientierten Konzept, bei dem verschiedene Optionen für die Bewältigung der wichtigsten technischen und wissenschaftlichen Herausforderungen geprüft werden. Letztlich ist es das Ziel, den Mehrwert von EXAGAN-Komponenten in Systemen zu erforschen und zu demonstrieren, die die Anwendungen von heute und morgen adressieren. So werden im Projekt vier Anwendungen behandelt: ein PFC-Konverter für Industrie- und Automobilanwendungen, eine leistungsstarke Schaltzelle durch die Parallelschaltung von Komponenten, ein LLC-Hochfrequenz-Konverter und eine Rechenzentrumsversorgung, die jeweils Demos oder Prototypen mit Komponenten von EXAGAN hervorbringen. Bei dem Projekt handelt es sich um die Anfangsphase des Aufbaus eines Anwendungszentrums für Leistungselektronik in Toulouse/Labège. Die Unterstützung der Region durch das GRAINE-Programm wird es ermöglichen, diese ehrgeizige Dynamik in diesem Bereich in Gang zu setzen, die eine Annäherung der touluanischen und grenobischen Ökosysteme ermöglicht.