De operatie maakt deel uit van het project IPCEI (belangrijk project van gemeenschappelijk Europees belang) Nano2022 gebracht naar het Franse niveau door ST MICROELECTRONICS. Het betreft WP1 van dit project, dat gericht is op de ontwikkeling van GaN/Si-technologieën op 200 mm wafers. Meer specifiek betreft de operatie de ontwikkeling van atomaire laaggravureprocessen van GaN en AIGaN voor het ontwerp van HEMT-dioden en transistors. Het project maakt deel uit van de „Plasmagravure”-activiteit van het GREMI-laboratorium binnen de as „functionele metalen door plasma’s en lasers”.